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圣邦微SGM795:1.17×1.17mm WLCSP TCPC,专为手机/平板PD快充设计

圣邦微SGM795:1.17×1.17mm超小封装的USB Type-C端口控制器

符合USB Type-C和PD 3.2标准,集成VBUS/VCONN控制、CC逻辑和PD物理层,为移动设备提供完整协议栈方案

SGM795 USB Type-C TCPC系统架构图
图1:SGM795 TCPC系统架构——从USB-C连接器到TCPM的完整协议栈

做移动设备电源管理的工程师大概都有这样的体会:想要在手机、平板里塞进一个正经的USB PD协议控制器,但物理空间卡得很死,芯片尺寸成了硬伤。SGM795就是冲着这个痛点来的——整个芯片只有1.17mm见方,比指甲盖还小,却把TCPC规范要求的核心功能全部包圆了。

这颗器件符合USB Type-C规范和PD 3.2协议标准,集成了CC检测逻辑、VBUS/VCONN功率路径控制以及PD物理层编码解码。放在手机主板上,基本就占个指尖大小的位置,但能搞定从连接检测到快充协商的全流程。

核心特性解析

双角色(DRP)配置

支持Source/Sink/DRP三种工作模式,可通过I2C动态切换,灵活应对不同使用场景

20V VBUS电压支持

VBUS耐压最高20V,覆盖PD协议规定的全部电压档位(5V/9V/15V/20V)

VCONN过压/过温保护

内置VCONN至CC双端OVP和OTP功能,全方位保护线缆和接口安全

可编程OCP

VCONN通道内置可编程过流保护阈值,避免异常短路损坏

DRP这个特性挺实用的——手机插上电源时自动切换成Sink模式充电,插上OTG转接线又能切回Source给耳机供电。整个过程不需要主控额外干预,SGM795自己就能根据连接状态协商好角色切换。

Pin到Pin的精细设计

SGM795 WLCSP-9B封装引脚布局
图2:WLCSP-9B封装,1.17×1.17mm,仅9个焊球

WLCSP(晶圆级芯片尺寸封装)这种东西,说白了就是直接把晶圆切割完就当芯片用,省掉了传统封装的大部分材料。SGM795的WLCSP-9B只有9个焊球,全部布置在芯片正面,底部无需过孔,贴装后高度可以压到0.5mm以下。对于厚度敏感的消费电子来说,这个优势挺明显的。

对比传统QFN封装:QFN 3×3mm封装的芯片加上周围走线空间,Layout至少需要6×6mm;而SGM795在板上实际占用面积可以控制在3×3mm以内。

系统接口设计

TCPC和TCPM是USB-IF定义的Type-C分层架构。简单说,TCPC负责底层协议执行——CC检测、PD消息编解码、VBUS控制;TCPM则负责上层策略——比如手机什么时候申请升压、什么时候进入PPS模式。SGM795作为TCPC芯片,通过I2C接口与主控端的TCPM通信。

手机USB-C电源管理架构
图3:移动设备USB-C双向充电架构——Source/Sink角色自动协商

I2C接口支持1.2V和1.8V两种电平标准,兼容性不错。INT_N引脚用来向TCPM发起中断请求,比如连接状态变化、VBUS异常、PD消息到达等情况,都会触发中断通知主控处理。这种设计把主控从频繁轮询的状态里解放出来,系统功耗也能降一些。

电源路径与保护机制

参数 规格 说明
VBUS电压范围 最高20V 满足PD 3.2所有电压档位
VCONN电流 可编程OCP 保护emarked线缆
过压保护 VCONN至CC双端OVP 防止高压损坏CC引脚
过温保护 VCONN OTP 芯片结温异常时关断
VBUS放电 内置强制放电路径 快速消纳VBUS残压

VCONN这个功能容易被忽略。很多人以为USB-C的CC引脚只是用来检测方向的,其实CC还负责给插头里的电子标签芯片(emarker)供电。正常情况下VCONN通路会提供一个小电流给emarker,但如果线缆或接口出现异常高压,OVP就会介入保护。

SGM795的VBUS强制放电功能也有实际意义。当系统需要快速切断电源时,VBUS电容上储存的能量需要泄放掉,否则下次上电时可能出现电压叠加或行为异常。这个放电路径是芯片内置的,不需要外部加放电电阻。

封装与Layout考量

WLCSP封装与USB-C连接器尺寸对比
图4:SGM795封装尺寸对比——WLCSP 1.17×1.17mm vs USB-C连接器

WLCSP的焊接工艺比传统封装挑剔一些。样板阶段用热风枪加低温焊膏基本能搞定,但到了量产还是建议过回流焊。几点需要注意:

  • PCB焊盘开窗:SMD焊盘比芯片尺寸大0.05~0.1mm,方便焊膏流铺
  • 温度曲线:参考无铅回流曲线,峰值温度一般控制在235~245℃
  • 底部焊盘:虽然WLCSP底部一般不要求过孔,但芯片周围的PCB地铺铜要足够,保证散热

与PD协议演进的关系

USB PD功率演进时间线
图5:USB Power Delivery功率演进——从PD 2.0的15W到PD 3.1的240W

USB PD协议从2.0到3.1经历了几次大的修订。PD 2.0时代最高只支持20V/5A共100W,到PD 3.0开始引入PPS(可编程电源)模式,允许以20mV为步进动态调节电压,手机快充基本就是靠这个实现的。PD 3.1又把电压上限从20V拉高到48V,对应240W功率,从此PD协议可以覆盖笔记本、游戏机甚至部分显示器的供电需求了。

SGM795符合PD 3.2标准,指的是支持PD 3.0和PD 3.1定义的PPS以及EPR(扩展功率范围)特性。虽然手机、平板目前用不到48V EPR,但VBUS 20V的耐压规格为未来升级留了余地。

典型应用场景

智能手机

旗舰手机普遍需要65W以上的快充能力,SGM795可以作为系统级PD快充方案的前端控制器,配合Buck-Boost转换器实现宽电压范围的充电管理。

平板电脑与Chromebook

平板设备通常需要45~65W的输入功率,且经常需要反向给手机充电。SGM795的DRP双角色功能可以简化这类双向充电的协议握手设计。

总结

SGM795这颗芯片解决的是移动设备上USB-C协议控制的「小而全」问题:封装只有1.17×1.17mm,但CC逻辑、VBUS/VCONN控制、PD物理层、PPS支持全部包含在内。对于做手机、平板等消费电子的工程师来说,在空间和功能之间找平衡的时候,多一个这样的选项总是好的。

SGM795关键规格一览
封装 WLCSP-1.17×1.17-9B
协议标准 USB Type-C + PD 3.2
VBUS电压 最高20V
角色支持 Source / Sink / DRP
I2C电平 1.2V / 1.8V
保护功能 VCONN OVP、VCONN OTP、可编程OCP
VBUS放电 内置强制放电

Q1:SGM795 能否用于 100W 以上功率的笔记本?

A:SGM795 VBUS 最高支持 20V,单从电压看无法满足 PD 3.1 的 28V/48V EPR 标准,但它适合手机、平板等 20V 以内的快充设备。若需更高电压,建议关注圣邦微后续面向笔记本的 TCPC 产品。

Q2:WLCSP 封装如何手工焊接验证?

A:样板阶段可使用低温焊膏+热风枪(风量调小,温度 300℃左右),但批量生产务必采用回流焊。PCB 设计时需保留阻焊层开窗,焊球间距 0.4mm,建议使用 4 层板保证电源完整性。

Q3:SGM795 的 I2C 地址是否可配置?

A:不可配置,固定 7 位地址 0x22(具体以数据手册为准)。一个 I2C 总线上只能挂载一个 SGM795,但可通过多路复用器扩展。

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